| |||
|
МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА Научные открытия в области физики твердого тела. Научное открытие "Явление образования в кристаллических полупроводниках электрически нейтральных стабильных многочастичных экситон-примесных комплексов". Формула открытия: "Экспериментально установлено неизвестное ранее явление образования в кристаллических полупроводниках электрически нейтральных стабильных многочастичных экситон-примесных комплексов, содержащих однократно заряженный примесный ион и 2m+i электронов и дырок (го3=2), возникающих в результате захвата нескольких экситонов донорным или акцепторным атомом". Авторы: А. С. Каминский, Я. Е. Покровский. Номер и дата приоритета: № 262 от 13 марта 1970 г. Описание открытия. Как известно, электрически нейтральные примесные атомы в полупроводниках могут захватить экситон, то есть связанную электростатическим притяжением электронно-дырочную пару. В результате такого захвата образуется локальное неравновесное состояние в полупроводнике – связанный экситон. Российские ученые – А. С. Каминский и Я. Е. Покровский – установили, что нейтральные донорные или акцепторные примесные атомы в полупроводниках могут захватывать не один, а несколько (т) экситонов. В результате образуются электрически нейтральные стабильные многочастичные экситон-примесные комплексы, содержащие примесный ион и 2т+1 электронов и дырок. Такое локальное состояние, содержащее большое число легких частиц двух знаков заряда, не имеет аналогов. Обнаруженное явление открыло новые возможности для выяснения природы взаимодействия между электронами, дырками и примесными атомами в полупроводниках и привело к возникновению нового научного направления — физики связанных коллективных состояний неравновесных носителей заряда. Открытие имеет большое практическое значение, позволяя определять примесный состав полупроводников по характеристической люминесценции многочастичных экситон-примесных комплексов. Каждый из примесных элементов, например атомы примесей III и V групп в кремнии, дает характерную серию узких линий люминесценции комплексов. По спектральному положению этих линий можно установить химическую природу примесей, а по соотношению их интенсивности и интенсивности излучения свободных экситонов — концентрацию примесей. Метод применим для определения содержания как основных, так и компенсирующих примесей. Главная КОСМОС ЗЕМЛЯ ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА МИРОЗДАНИЕ |