| |||
|
МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА Научные открытия в области полупроводниковой электроники. Научное открытие "Явление гетерофазной автолокализации носителей тока в полупроводниках". Формула открытия: "Теоретически установлено неизвестное ранее явление гетерофазной автолокализации электронов проводимости в полупроводниках, заключающееся в образовании областей иного фазового состояния (например, ферромагнитного в антиферромагнетике) с одним или несколькими электронами проводимости в этих областях, стабилизирующими измененную фазу". Авторы: Э. Л. Нагаев, А. И. Ларкин, Д. Е. Хмельницкий. Номер и дата приоритета: № 241 с приоритетом по двум датам – от 23 марта 1967 г. в части одноэлектронной автолокализации и 1 июня 1968 г. в части многоэлектронной автолокализации. Дата регистрации: 29 ноября 1981 г. Описание открытия. Открытие касается свойств некоторых типов полупроводников, в первую очередь магнитных и сегнетоэлектрических. Как известно, в обычных полупроводниках электроны проводимости свободно перемещаются по кристаллу. Авторами открытия, однако, установлено, что в полупроводниках упомянутых типов вместо свободного движения электронов возможна их гетерофазная автолокализация. Это явление заключается в том, что электрон остается в небольшой области кристалла, изменяя ее фазовое состояние, например, из антиферромагнитного (АФ) в ферромагнитное (ФМ) в АФ-полупроводнике. Научное значение открытия состоит в том, что доказано существование нового типа состояний электронов проводимости в полупроводниках и нового типа состояний однородных полупроводников с достаточно большой концентрацией электронов проводимости, когда кристалл разбивается на чередующиеся друг с другом области различных фаз, заряженные относительно друг друга. С обнаружением этого явления появилась возможность создания принципиально новых электронных устройств, например приборов, магнитными характеристиками которых можно управлять при помощи электрических полей или освещения, приборов, оптическими свойствами которых можно эффективно управлять при помощи магнитных полей, а также улучшения характеристик приборов известных типов, в частности терморезисторов, за счет резкости зависимости сопротивления от температуры и магнитного поля. Главная КОСМОС ЗЕМЛЯ ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА МИРОЗДАНИЕ |