| |||
| МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА Научные открытия в области физики твёрдого тела. Научное открытие "Явление анизотропии ионно-электронной эмиссии монокристаллов" Формула открытия: "Установлено ранее неизвестное явление анизотропии ионно-электронной эмиссии монокристаллов, заключающееся в уменьшении числа эмитированных электронов при направлении падающих ионов вдоль кристаллографических осей мишени". Авторы: Е. С. Машкова, В. А. Молчанов, Д. Д. Одинцов, В. Г. Тельковский, В. М. Чичеров. Номер и дата приоритета: № 126 от 13 октября 1960 г. Описание открытия. Доктора физико-математических наук Е. С. Машкова и В. А. Молчанов (МГУ) совместно с кандидатом физико-математических наук Д. Д. Одинцовым (Физико-энергетический институт, г. Обнинск), доктором физико-математических наук В. Г. Тельковским (МИФИ) и кандидатом физико-математических наук В. М. Чичеровым (Институт атомной энергии имени И. В. Курчатова) открыли явление анизотропии ионно-электронной эмиссии монокристаллов. Изучение взаимодействия быстрых атомных частиц с кристаллическим твердым веществом представляет большой научный и практический интерес. Исследование этих взаимодействий началось около 20 лет назад и позволило установить несколько неожиданных эффектов, получивших название ориентационных, т. е. зависящих от направления. К их числу относится и данное открытие. Число электронов, эмитируемых из кристалла под действием ионной бомбардировки, резко уменьшается при совпадении направления падения ионов с кристаллографическими осями мишени. Это явление впервые было обнаружено авторами открытия в 1960 году при экспериментальном изучении взаимодействия ускоренных ионов с монокристаллами. Необычными оказались два характерных свойства обнаруженного явления. Первое: открытая анизотропия ионно-электронной эмиссии качественно отличается от анизотропии других свойств кристаллов – механических, электрических, магнитных, оптических и т. д. Зависимости этих свойств кристаллов от кристаллографического направления являются плавными и описываются тензорами второго ранга, в то время как изменение числа эмитируемых из кристалла электронов происходит в основном лишь в узких угловых интервалах вблизи кристаллографических осей. Второе характерное свойство анизотропии ионно-электронной эмиссии – значительная величина уменьшения числа эмитированных электронов, которая достигает в типичных случаях нескольких сот процентов при изменении угла между направлением падения ионов и кристаллографическим направлением всего на несколько градусов. Эксперименты 1961-1973 годов, проводившиеся авторами открытия в Научно-исследовательском институте ядерной физики МГУ, характеризовались многочисленными систематическими исследованиями открытого явления. Изучалась анизотропия ионно-электронной эмиссии для кристаллов различных симметрии с разными типами связей. Была проанализирована зависимость анизотропии ионно-электронной эмиссии от вида и энергии ионов, температуры и степени упорядоченности мишени. Анизотропия ионно-электронной эмиссии является одним из первых ориентационных эффектов взаимодействия атомных частиц с кристаллами. Вместе с другими ориентационными эффектами она легла в основу новой области физики твердого тела – радиационной физики упорядоченных сред. Открытие дает возможность непрерывного контроля радиационных дефектов в облучаемом образце, а также контроля ориентации монокристаллов. На основе открытия создан ряд изобретений. Анизотропию ионно-электронной эмиссии широко исследовали для различных классов твердых тел – металлов, полупроводников и диэлектриков – в лабораториях СССР, США, Франции, Голландии, Германии. Главная КОСМОС ЗЕМЛЯ ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА МИРОЗДАНИЕ |