Научные открытия России
Государственный реестр открытий СССР
 


МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА
Научные открытия в области физики твёрдого тела.



Научное открытие "Фотопластический эффект"

Формула открытия: "Установлено ранее неизвестное явление, заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинах волн, соответствующих, краю собственного поглощения кристаллов (фотопластический эффект)".
Авторы: А. Осипьян, И. Б. Савченко.
Номер и дата приоритета: № 93 от 21 декабря 1967 г.


Описание открытия.
В науке давно утвердилось представление о том, что прочность и пластичность твердых тел определяются только их атомно-кристаллической структурой, что для изменения пластических свойств кристалла необходимо изменить состояние его кристаллической решетки, т. е. ввести в него какие-либо примеси, подвергнуть вещество легированию, закалке и т. д.

Член-корреспондент АН СССР Ю. А. Осипьян и научный сотрудник И. Б. Савченко (Институт физики твердого тела АН СССР), исследуя действие обычного видимого света на кристаллы полупроводников, обнаружили существенное влияние его на их пластические свойства. Они назвали это явление фотопластическим эффектом.
Ученые сжимали и растягивали образцы полупроводников на высокоточной установке до тех пор, пока не наступала пластическая деформация, т. е. пока образец не терял своих упругих свойств. Затем включался источник света, который освещал полупроводник. Вопреки известным положениям приборы регистрировали почти двойное увеличение прочности полупроводника. Но стоило выключить свет, как прочность уменьшалась и вскоре достигала своего первоначального значения.

Чем же объясняется столь загадочное явление? Проведя многочисленные эксперименты, Ю. А. Осипьян и И. Б. Савченко сумели ответить на этот вопрос. Свет не влияет на кристаллическую решетку твердого тела, но оказывает существенное воздействие на электронную структуру образца. Внутри кристалла перераспределяются электрические заряды, отчего дислокации носителей пластической деформации тормозятся и кристаллы заметно уплотняются.

Академик Г. В. Курдюмов отмечает, что фотопластический эффект углубляет представления о природе прочности и пластичности кристаллов. Он послужит основой нового типа элементов автоматического регулирования, новой технологии полупроводников, создания качественно новых приемников видимого светового и Инфракрасного излучения и т. д.

На основе познанного явления авторы открытия разработали новый способ управления пластичностью полупроводниковых кристаллов. Дальнейшие их исследования привели к наблюдению еще одного прежде неизвестного явления – инфракрасного гашения фотопластического эффекта.
Открытие советских физиков получило мировое признание. Оно было подтверждено экспериментами шведских ученых.




Главная
КОСМОС
ЗЕМЛЯ
ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ
ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ
ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА
МИРОЗДАНИЕ
Сайт создан в системе uCoz