| |||
|
ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ Научные открытия в области металловедения. Научное открытие "Свойство химической инертности примесей металлов в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями". Формула открытия: "Установлено неизвестное ранее свойство химической инертности примесей металлов в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями, заключающееся в аномально слабом влиянии концентрации примесей на электронные свойства полупроводников, обусловленное локализацией примесных атомов в стехиометрических вакансиях". Авторы: В. П. Жузе, В. М. Кошкин, Л. С. Палатник, Л. В. Атрощенко, Е. Е. Овечкина, В. П. Романов, В. М. Сергеева, А. И. Шелых. Номер и дата приоритета: № 245 от 15 июля 1960 г. Дата регистарции: 1982 г. Описание открытия. Проведенное авторами открытия теоретическое и экспериментальное изучение электрических и других свойств легированных полупроводников со стехиометрическими вакансиями, спектров ядерного гамма-резонанса и рентгеновских эмиссионных спектров доказало факт отсутствия химического взаимодействия примесей металлов в кристаллах со стехиометрическими вакансиями. Выводы авторов подтверждены исследованиями ученых СССР, ГДР, США и вошли в ряд монографий и учебников. Открытие расширило современные представления о поведении примесей в твердых телах и стимулировало развитие научного направления – физики кристаллов со стехиометрическими вакансиями. Практическое значение открытия состоит в том, что химическая инертность примесей металлов обеспечивает, в частности, отсутствие заряженных центров в полупроводниках указанного типа, а это необходимое условие их радиационной стойкости. На основе полупроводников со стехиометрическими вакансиями разработаны разнообразные технические устройства, обладающие рекордной радиационной стойкостью (детекторы больших доз и интенсивностей гамма-квантов, быстрых электронов и др.). Открытие позволило создать высокочувствительные терморезисторы и тензорезисторы. При этом свойство химической инертности примесей обеспечивает существенно более простую по сравнению с другими полупроводниками технологию изготовления материалов со строго стабильными параметрами, поскольку не требуется глубокая очистка от примесей. Главная КОСМОС ЗЕМЛЯ ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА МАТЕМАТИКА |