Научные открытия России
Государственный реестр открытий СССР
 


ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Научные открытия в области металловедения.



Научное открытие "Свойство химической инертности примесей металлов в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями".

Формула открытия: "Установлено неизвестное ранее свойство химической инертности примесей металлов в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями, заключающееся в аномально слабом влиянии концентрации примесей на электронные свойства полупроводников, обусловленное локализацией примесных атомов в стехиометрических вакансиях".
Авторы: В. П. Жузе, В. М. Кошкин, Л. С. Палатник, Л. В. Атрощенко, Е. Е. Овечкина, В. П. Романов, В. М. Сергеева, А. И. Шелых.
Номер и дата приоритета: № 245 от 15 июля 1960 г.
Дата регистарции: 1982 г.


Описание открытия.
Проведенное авторами открытия теоретическое и экспериментальное изучение электрических и других свойств легированных полупроводников со стехиометрическими вакансиями, спектров ядерного гамма-резонанса и рентгеновских эмиссионных спектров доказало факт отсутствия химического взаимодействия примесей металлов в кристаллах со стехиометрическими вакансиями. Выводы авторов подтверждены исследованиями ученых СССР, ГДР, США и вошли в ряд монографий и учебников.

Открытие расширило современные представления о поведении примесей в твердых телах и стимулировало развитие научного направления – физики кристаллов со стехиометрическими вакансиями.

Практическое значение открытия состоит в том, что химическая инертность примесей металлов обеспечивает, в частности, отсутствие заряженных центров в полупроводниках указанного типа, а это необходимое условие их радиационной стойкости. На основе полупроводников со стехиометрическими вакансиями разработаны разнообразные технические устройства, обладающие рекордной радиационной стойкостью (детекторы больших доз и интенсивностей гамма-квантов, быстрых электронов и др.). Открытие позволило создать высокочувствительные терморезисторы и тензорезисторы. При этом свойство химической инертности примесей обеспечивает существенно более простую по сравнению с другими полупроводниками технологию изготовления материалов со строго стабильными параметрами, поскольку не требуется глубокая очистка от примесей.




Главная
КОСМОС
ЗЕМЛЯ
ЧЕЛОВЕК, БИОЛОГИЯ
ФИЗИКА, РАДИОАКТИВНОСТЬ
ХИМИЯ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
МЕХАНИКА, АВТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА
МАТЕМАТИКА
Сайт создан в системе uCoz